|
дроссель CV201210-3R3K-3,3 мкГн-10%-30mA-800mOhm (2009г.)
|
(Bourns - Ferrite Multi-Layer Chip Inductors, Size: 0805)
|
6000
|
0,18
|
27.03.2024 14:27:48
|
|
|
|
1210 X7R 250 0.01 МКФ К (1210B103K251N3)
|
2014г Hitano 3000
|
3000
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01 МКФ ±10% (1210B103K251N3)
|
б/г Hitano упак:1210 катушка 3000
|
29210
|
0,32
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 0,01МКФ X7R 500В 10% CL32B103KGFNNNE
|
Samsung
|
1148
|
0,38
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
C1210N823K5XSC
|
2001г упак, ярлык
|
336
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 0,01мкф X7R 500в 10% CL32B103KGFNNNE
|
Samsung
|
1148
|
0,25
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
Дроссель LQH32MN3R3K23 3,3 мкГн 10% (чип 1210) Murata
|
прочее
|
63
|
0,80
|
07.09.2023 15:19:05
|
|
|
|
1210 X7R 250 0.01 мкФ К (1210B103K251N3)
|
14 Hitano 3000
|
3000
|
0,00
|
18.04.2023 9:27:48
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01мкФ ±10% (1210B103K251N3)
|
б/г Hitano 1210 катушка 3000
|
29240
|
0,30
|
18.04.2023 9:27:48
|
|
|
|
C1210N823K5XSC
|
Конденсаторы 2001 1 , упак, ярлык
|
336
|
|
14.04.2023 12:01:06
|
|
|
|
C1210N823K5XSC
|
|
252
|
0,01
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
1210 0,01МКФ X7R 500В 10% CL32B103KGFNNNE
|
|
936
|
0,52
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01МКФ ±10% (1210B103K251N3)
|
|
21930
|
0,62
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
ЧИП ИНД, 1210 68UHB82422A1683K100
|
|
10
|
3,99
|
29.03.2023 13:03:00
|
|
|
|
чип 1210 3K +5%
|
YAGEO
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
LQH32MN3R3K23L чип индуктивность, 3.3мкГн, 10%, 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
CM322522 3R3KL 3,3мкГн 10% 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
LQH32MN3R3K23 3,3мкГн 300м 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
1210 3K +5%
|
ASJ
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
1210 3K +1%
|
YAGEO
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
